Görsel mevcut değil
APT45GR65B2DU30
APT45GR65B2DU30 Hakkında
APT45GR65B2DU30, Microchip Technology tarafından üretilen NPT tipi Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, 650V breakdown voltajı ve 118A nominal kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 543W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Düşük on/off gecikmesi (15ns/100ns) ve 203nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında hız ve verimlilik sağlar. 80ns reverse recovery time ve 2.4V Vce(on) değerleri ile motor kontrol, güç dönüştürme sistemleri, UPS üniteleri ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
118 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
224 A
Gate Charge
203 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
543 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Td (on/off) @ 25°C
15ns/100ns
Test Condition
433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V