Görsel mevcut değil
APT35GP120B2D2G
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
APT35GP120B2D2G Hakkında
APT35GP120B2D2G, Microchip Technology tarafından üretilen bir PT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1200V dayanım gerilimi ve 35A nominal kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 540W maksimum güç kapasitesine ve 85ns reverse recovery time'a sahip olan APT35GP120B2D2G, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda çalışır. Cihaz -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve through-hole montaj yöntemini destekler.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
140 A
Gate Charge
150 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
540 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Switching Energy
1mJ (on), 1.185mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns, 99ns
Test Condition
800V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V