Görsel mevcut değil
APT35GN120SG/TR
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT FIELDSTOP LOW FREQUENCY SIN
APT35GN120SG/TR Hakkında
APT35GN120SG/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPT (Non-Punch Through) Trench Field Stop teknolojisine dayanan yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 84A sürekli collector akımı ile endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlama görevlerini yerine getirir. 379W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip bu transistör, düşük frekans güç dönüştürücü uygulamaları, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel motor sürücülerinde kullanılır. 220nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, 24ns açılma ve 300ns kapanma süresi ile denetlenebilir komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-268-3 (D³Pak) SMD paketinde sunulmaktadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
84 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Gate Charge
220 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Active
Power - Max
379 W
Supplier Device Package
D3PAK
Switching Energy
-, 2.315mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns, 300ns
Test Condition
800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V