Görsel mevcut değil
APT30GP60B2DLG
APT30GP60B2DLG Hakkında
APT30GP60B2DLG, Microchip Technology tarafından üretilen 600V 100A güç IGBT transistörüdür. PT tipi (Punch Through) teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 463W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. Vce(on) değeri 15V gerilimde 30A akımda 2.7V olarak belirlenmiştir. 13ns açılış ve 55ns kapanış gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Gate charge 90nC ile kontrol devresi tasarımında esneklik sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
463 W
Supplier Device Package
T-MAX™
Switching Energy
260µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/55ns
Test Condition
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V