Görsel mevcut değil
APT25GT120BRDQ2G
APT25GT120BRDQ2G Hakkında
APT25GT120BRDQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistörüdür. 1200V collector-emitter gerilimi ve 54A (pulse'da 75A) maksimum collector akımına sahip bu bileşen, 347W güç yönetimi kabiliyeti ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında düşük kapı yükü (170nC) ve hızlı komutasyon zamanları (Td on: 14ns, Td off: 150ns) sağlar. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve AC/DC güç kaynakları gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında istikrarlı performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
170 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
347 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
930µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/150ns
Test Condition
800V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V