Görsel mevcut değil
APT25GR120SSCD10
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
APT25GR120SSCD10 Hakkında
APT25GR120SSCD10, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/75A kapasiteli NPT (Non-Punch Through) teknolojisine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D³Pak (TO-268-3) paketinde sunulan bu komponent, 521W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 203 nC olup, açılma ve kapanma geçiş süreleri sırasıyla 16ns ve 122ns'dir. Maksimum collector-emitter doyum voltajı 15V gate voltajında 25A akımda 3.2V'dur. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç elektroniği uygulamaları, inverted DC/DC konverterleri, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
203 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
521 W
Supplier Device Package
D3PAK
Switching Energy
434µJ (on), 466µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/122ns
Test Condition
600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V