Görsel mevcut değil
APT25GP90BDQ1G
APT25GP90BDQ1G Hakkında
APT25GP90BDQ1G, Microchip Technology tarafından üretilen 900V rating'li PT tipi IGBT transistördür. 72A nominal ve 110A pulsed collector akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 417W güç yönetebilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 110nC gate charge ve 13ns/55ns (on/off) gecikmesi ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
110 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
417 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
13ns/55ns
Test Condition
600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V
İlgili Ürünler