Görsel mevcut değil
APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G Hakkında
APT25GP120BDQ1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 69A sürekli kolektör akımı ve 90A pulsed akımı ile çalışabilir. Maksimum 417W güç dağıtabilir. PT tipi IGBT olarak tasarlanmış bu transistör, 110nC gate charge değerine sahiptir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 25A akımda 3.9V'dur. 12ns açılış ve 70ns kapanış hızları ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, invertör devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
69 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
110 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
417 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
500µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/70ns
Test Condition
600V, 25A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V