2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
APT25GN120B2DQ2G Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

APT25GN120B2DQ2G

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
IGBT 1200V 67A 272W TMAX

APT25GN120B2DQ2G Hakkında

APT25GN120B2DQ2G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/67A IGBT transistörüdür. NPT (Non-Punch Through) ve Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 272W güç yönetimi kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, hızlı anahtarlama özellikleri ile (22ns on, 280ns off) endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 25A akımda 2.1V olup, düşük kayıp karakteristiği sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Döner makine sürücüleri, kaynak makineleri, güç invertörleri ve motorlu sistemlerin kontrolü gibi uygulamalara uygun tasarlanmıştır.

Ürün Özellikleri

15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 67 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75 A
Gate Charge 155 nC
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3 Variant
Part Status Active
Power - Max 272 W
Switching Energy 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/280ns
Test Condition 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V