Görsel mevcut değil
APT15GP60BDQ1G
APT15GP60BDQ1G Hakkında
APT15GP60BDQ1G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 56A maksimum kolektör akımı ve 250W maksimum güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu tekil IGBT, PT tipi (punch-through) yapısıyla tasarlanmıştır. 2.7V Vce(on) değeri ve 55nC gate charge'ı ile güç dönüştürme, motor kontrol, UPS, inverter ve kaynak uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. 8ns açılma ve 29ns kapanma gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
56 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
65 A
Gate Charge
55 nC
IGBT Type
PT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
130µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/29ns
Test Condition
400V, 15A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V