Görsel mevcut değil
APT11GF120BRDQ1G
APT11GF120BRDQ1G Hakkında
APT11GF120BRDQ1G, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistördür. 25A maksimum collector akımı ve 156W maksimum güç kapasitesi ile TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 65 nC gate charge ve 7ns/100ns on/off gecikmesi (Td) özellikleri ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 8A akımda 3V'dur. 300µJ açılış ve 285µJ kapanış switching enerjisi ile enerji verimliliğine katkıda bulunur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Ürün halen pazar dışında (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
65 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
156 W
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Switching Energy
300µJ (on), 285µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
7ns/100ns
Test Condition
800V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V