Görsel mevcut değil
APT100GN60B2G
- Üretici
- Microchip
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 229A 625W TMAX
APT100GN60B2G Hakkında
APT100GN60B2G, Microchip Technology tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, maksimum 229A collector akımı ve 625W güç kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve güç dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 31ns açılış ve 310ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 1.85V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
229 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
600 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Variant
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Switching Energy
4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31ns/310ns
Test Condition
400V, 100A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V