Görsel mevcut değil
2N5551YBU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 600MA TO92-3
2N5551YBU Hakkında
2N5551YBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum Vce breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz transition frequency'si sayesinde, düşük frekans sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve kontrol devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, maksimum 625mW güç tüketebilir. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V