Görsel mevcut değil
2N5551
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-92
- Açıklama
- T-NPN SI- HIV AMP
- Aile / Seri
- 2N5551
2N5551 Hakkında
2N5551, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipinde silisyum bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı amplifikasyon ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mA maksimum collector akımı ve 625mW güç sınırlaması ile düşük seviye sinyal işleme, ses amplifikasyonu, frekans kontrol devreleri ve logic drive uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 300MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. 160V breakdown voltajı ile endüstriyel kontrol ve otomasyon sistemlerinde de yer bulur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Ürün Ailesi
2N5551 Tüm Varyantları Görİlgili Ürünler
