2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2N5551 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2N5551

Kılıf / Paket
Açıklama
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

2N5551 Hakkında

2N5551, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar transistördür. Through-hole montaj için TO-92 (TO-226) kasada sunulan bu komponent, 600mA maksimum kolektör akımı ve 625mW güç dağıtım kapasitesi ile RF amplifikatörleri, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300MHz geçiş frekansı, 160V VCEO breakdown voltajı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Minimum 80 hFE (10mA, 5V'de) kazancı ve 200mV doyma voltajı (5mA taban, 50mA kolektör akımında) lineer amplifikasyon ve anahtarlama görevleri için uygun karakteristikler sunar.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V