2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2N5551TAR Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2N5551TAR

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

2N5551TAR Hakkında

2N5551TAR, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 160V kolektör-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 625mW güç dağıtım kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile kontrollü amplifikasyon sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışma gösterir. Eski model olmasına rağmen, hobist projelerinde ve ürün restorasyon çalışmalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V