Görsel mevcut değil
2N5210_D81Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
2N5210_D81Z Hakkında
2N5210_D81Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 30MHz transition frequency ile düşük frekanslı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum güç dağılımı 625mW olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu sağlayabilir. Küçük sinyal uygulamaları, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük güçlü amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmıştır. Diyot ve sensör uygulamalarında da tercih edilebilir. Parça durumu kullanım dışıdır (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V