Görsel mevcut değil
2N5210TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 100MA TO92-3
2N5210TF Hakkında
2N5210TF, Rochester Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektor-emiter gerilimi ve 100mA kolektor akımıyla çalışır. 30MHz geçiş frekansı ve minimum 200 DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 625mW maksimum güç tüketimiyle, sinyal işleme, ses amplifikasyonu, motorlar ve sensörler gibi orta güçlü kontrol uygulamalarına uygundur. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V