Görsel mevcut değil
2N5210
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- AUDIO AMP
2N5210 Hakkında
2N5210, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar transistördür. Ses amplifikasyon devrelerine uygun olarak tasarlanan bu bileşen, 625mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 30MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain (hFE) 250@10mA, 5V seviyesindedir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 700mV saturation voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. TO-92 paket tipi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 50mA maksimum collector akımı ile düşük ve orta güç uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V