Görsel mevcut değil
2N3637UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
2N3637UB/TR Hakkında
2N3637UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür (BJT). SMD (Surface Mount Device) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A collector akımı ve 175V Vce(br) breakdown voltajı ile çalışır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 50mA collector akımında ve 10V Vce'de özelliklendirilmiştir. Maksimum 1.5W güç dağıtım kapasitesi ve 600mV doyum voltajı (Vce(sat)) ile karakterize edilen bu bileşen, -65°C ile 200°C arasında çalışır. Genel amaçlı düşük güçlü anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve ön aşama amplifikatörlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V