Görsel mevcut değil
JAN2N3637
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 175V 1A
JAN2N3637 Hakkında
JAN2N3637, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. 100 minimum DC akım kazancı (hFE @ 50mA, 10V) ve 600mV saturation voltajı ile güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V