Görsel mevcut değil
JAN2N3637L
JAN2N3637L Hakkında
JAN2N3637L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistor (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. TO-5 metal kasa içinde gelen bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilen (-65°C ~ 200°C) ve askeri standartlara uygun JAN versiyonudur. Audio amplifikasyonu, kontrol devreleri ve klasik elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V