Görsel mevcut değil
2N3019S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-39
2N3019S Hakkında
2N3019S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kasa içinde sunulan bu transistör, 80V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı ile çalışmaktadır. 50 @ 500mA, 10V koşullarında 50 minimum DC akım kazancı sunmaktadır. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenir. Klasik analog elektronik devreleri, kontrol uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V