Görsel mevcut değil
2N3019
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-5
2N3019 Hakkında
2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-5 metal kapsülde sunulan bu transistör, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile belirlenmiştir. 800mW güç dissipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 500mA collector akımında ve 10V VCE'de minimum 50'dir. Düşük saturasyon gerilimi (maksimum 500mV) ve yüksek çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile 200°C arası) sayesinde güç uygulamaları, anahtar devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V