Görsel mevcut değil
ZXTS1000NE6TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6
ZXTS1000NE6TA Hakkında
ZXTS1000NE6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, entegre diod yapısı içermektedir. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1.25A collector akımı ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 220MHz transition frequency ve 240mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) 500mA, 2V'de minimum 200 değerinde belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 885mW güç tüketimiyle, düşük sinyal seviyesinde ve güç anahtarlama devrelerinde kullanılan genel amaçlı transistördür. Bileşen şu an üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.25 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
220MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6
Part Status
Obsolete
Power - Max
885 mW
Supplier Device Package
SOT-23-6
Transistor Type
PNP + Diode (Isolated)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 1.25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V