Görsel mevcut değil
ZXTP2013ZTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 3.5A SOT89
ZXTP2013ZTA Hakkında
ZXTP2013ZTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar transistördür (BJT). SOT-89-3 SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3.5A kolektör akımı ve 100V collector-emitter gerilim ile çalışabilir. 125MHz transition frequency'si ve 100'ün minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. 2.1W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 300mV saturasyon gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama, PWM uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V