Görsel mevcut değil
ZXTP2009ZTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 5.5A SOT89
ZXTP2009ZTA Hakkında
ZXTP2009ZTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 40V collector-emitter breakdown voltajında ve 5.5A maksimum collector akımında çalışır. SOT-89 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 152MHz transition frequency ve 200 (minimum) DC current gain karakteristiğine sahiptir. 2.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı switching ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Düşük doyum voltajı (185mV) ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
152MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
185mV @ 550mA, 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V