Görsel mevcut değil
ZXTP2008GTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 5.5A SOT223
ZXTP2008GTA Hakkında
ZXTP2008GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount paketleme ile sunulmaktadır. 5.5A kolektör akımı ve 30V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 110MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. 3W maksimum güç tüketimi ile motor kontrolü, güç anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi endüstriyel ortamlara uygunluğunu sağlar. TO-261-4 (SOT-223-3) paketinde temin edilen bu transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalar için ekonomik bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition
110MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 500mA, 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V