Görsel mevcut değil
ZXTP03200BGTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 200V 2A
ZXTP03200BGTA Hakkında
ZXTP03200BGTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 200V Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.25W güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, DC akım kazancı (hFE) 1A ve 5V Vce'de minimum 100'dür. 105MHz transition frekansı sayesinde anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 275mV Vce saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışan SOT-223-3 paketli bileşen, güç yönetimi, aydınlatma kontrol, motor sürücü ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
105MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
275mV @ 400mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V