Görsel mevcut değil
ZXTN5551GTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.6A SOT223
ZXTN5551GTA Hakkında
ZXTN5551GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 160V maksimum collector-emitter voltajı ve 600mA collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon işlemlerinde kullanılabilir. 130MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. SOT-223 yüzey montajlı paket kompakt tasarımlar için idealdir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V