Görsel mevcut değil
ZXTN25100DGTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A SOT223
ZXTN25100DGTA Hakkında
ZXTN25100DGTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 3W güç kapasitesi ve 175MHz transition frequency ile DC ve AC sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. SOT-223 yüzey montajlı paket tipi sayesinde kompakt tasarımlar için idealdir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama, amplifikasyon ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition
175MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V