Görsel mevcut değil
ZXTN25100DGQTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IC PWR TRANSISTOR SOT223
ZXTN25100DGQTA Hakkında
ZXTN25100DGQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörü (BJT) olup, SOT-223 (TO-261-4) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 3A collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. 175MHz transition frequency ve 300 minimum DC current gain (hFE) ile hızlı anahtarlama ve güvenilir akım kazancı sağlar. 1.2W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile düşük sıcaklık katsayısı sunan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Ses amplifikasyonu, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition
175MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V