Görsel mevcut değil
ZXTN2018FQTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- SOT-23
- Açıklama
- PWR LOW TRANSISTOR SOT23
- Ürün Ailesi
- ZXTN2018
ZXTN2018FQTA Hakkında
ZXTN2018FQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN BJT transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5A maksimum collector akımı ve 1W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ile orta gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 130MHz transition frequency değeri ile gerilim amplifikasyonu ve düşük hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Düşük saturasyon voltajı (210mV) ve 100 minimum DC current gain özellikleri sayesinde güç anahtarlama, motor kontrolü ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 300mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
İlgili Ürünler
