Görsel mevcut değil
ZXTN2010ZQTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89 T&R
ZXTN2010ZQTA Hakkında
ZXTN2010ZQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük saturasyon voltajlı NPN bipolar transistördür. SOT-89 yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, maksimum 5A collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajında çalışabilir. 2.1W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 130MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. Düşük saturasyon voltajı (230mV @ 6A) sayesinde enerji verimliliği yüksek devre tasarımlarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
230mV @ 300mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V