Görsel mevcut değil
ZXTN2010GTA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 6A SOT223
ZXTN2010GTA Hakkında
ZXTN2010GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 60V collector-emitter gerilim dayanımı ve 6A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 3W güç disipasyonu kapasitesi ve 130MHz transition frekansı ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve ses amplifikatörlerinde kullanılabilir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 100 minimum DC gain (hFE) değeri ve 260mV doyum gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
SOT-223-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
260mV @ 300mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V