Görsel mevcut değil
ZXT849KTC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 7A D-PAK
ZXT849KTC Hakkında
ZXT849KTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 30V VCEO rating ve 7A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (D-PAK) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 100 MHz transition frequency ile ses frekansı ve düşük RF uygulamalarında tercih edilir. 4.2W maksimum güç disipasyonuna sahip olan komponent, -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. 280mV saturasyon voltajı ile anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devreleri tasarımında kullanılabilir. DC current gain (hFE) minimum 100 değeri ile stabil bir yükseltme faktörü sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
4.2 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
280mV @ 350mA, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V