Görsel mevcut değil
ZXT10P12DE6TC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 12V 3A SOT23-6
ZXT10P12DE6TC Hakkında
ZXT10P12DE6TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-6 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3A kolektör akımı ve 12V kolektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 110MHz transition frequency ile darbe ve anahtarlama devrelerinde işlem yapabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 300 değerine sahiptir. Maksimum 1.1W güç yayabilen bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Ses amplifikatörleri, LED sürücüleri, röle kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Component status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
110MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.1 W
Supplier Device Package
SOT-23-6
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V