Görsel mevcut değil
ZX3CDBS1M832TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 4.5A 3X2MM 8MLP
ZX3CDBS1M832TA Hakkında
ZX3CDBS1M832TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistör ve izole edilmiş diyot kombinasyonudur. 3x2mm boyutundaki 8-VDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 4.5A maksimum collector akımı ile çalışır. 140MHz transition frequency ve 200 (minimum) DC current gain özellikleriyle, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Maksimum 3W güç tüketimi kapasitesiyle kompakt elektronik devrelerde, özellikle mobil cihazlar, Power Management IC'leri ve RF amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. SMD montaj türü sayesinde yüksek yoğunluklu PCB layout'larına entegre edilebilir. Cihaz %150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
8-VDFN Exposed Pad
Part Status
Obsolete
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
8-MLP (3x2)
Transistor Type
NPN + Diode (Isolated)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
270mV @ 125mA, 4.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V