Görsel mevcut değil
ZTX857STZ
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 300V 3A E-LINE
ZTX857STZ Hakkında
ZTX857STZ, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir transistördir. 100 minimum DC current gain (hFE) ve 80MHz transition frequency ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler ve güç anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. TO-92 uyumlu E-Line paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 200°C arasında çalışabilir. 1.2W maksimum güç dağıtması ile sürekli ve darbe uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 250mV saturation voltajı ile enerji verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
E-Line-3, Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V