Görsel mevcut değil
ZTX853STZ
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 4A E-LINE
ZTX853STZ Hakkında
ZTX853STZ, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 100V breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. TO-92 compatible E-Line-3 pakette sunulan bu transistör, 1.2W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Geniş işletme sıcaklık aralığında (-55°C ~ 200°C) çalışabilir. Audio amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 200mV saturation voltajı düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
E-Line-3
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V