Görsel mevcut değil
ZTX849
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 5A E-LINE
ZTX849 Hakkında
ZTX849, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için E-Line (TO-92 uyumlu) pakette sunulmaktadır. 30V maksimum collector-emitter voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile belirtilmiştir. 100MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 1.2W maksimum güç dissipation kapasitesi ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, endüstriyel kontrol sistemleri, beyaz eşya elektronikleri ve ses frekansı uygulamalarında kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) minimum 100 (@1A, 1V) olup, 220mV saturation voltajı düşük enerji kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 200°C) ile güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
E-Line-3
Part Status
Active
Power - Max
1.2 W
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V