Görsel mevcut değil
ZTX688BSTZ
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 3A E-LINE
ZTX688BSTZ Hakkında
ZTX688BSTZ, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. 3A maksimum kollektör akımı ve 12V breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frekansı, 500 minimum DC current gain (hFE) ve 350mV saturation voltajı ile anahtarlama devrelerinde etkili çalışır. E-Line paket (TO-92 uyumlu) ve through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile sürücü, anahtar ve amplifikasyon devreleri tasarımında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
E-Line-3, Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 20mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V