Görsel mevcut değil
ZTX658QSTZ
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
ZTX658QSTZ Hakkında
ZTX658QSTZ, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistörüdür. 400V dağılım gerilimi (VCBO/VCEO) ile güç uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı ve 1W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama düzenleri gibi uygulamalarda yer alır. EP3 (TO-92 uyumlu) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında işletme imkanı sunar. 50MHz geçiş frekansı ve 50 minimum DC akım kazancı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon özelliği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
E-Line-3, Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V