Görsel mevcut değil
TN3019A
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-226
TN3019A Hakkında
TN3019A, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-226 (TO-92) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 100 MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalarda kullanıma uygundur. Maksimum 1W güç tüketimi ile entegre edilebildiği bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Harita uygulamaları, sinyal değiştirme devreleri, gerilim amplifikasyonu ve transistör anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında 10V Vce'de minimum 100 değerine sahiptir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-226-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V