Görsel mevcut değil
TN3019A_J05Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO-226
TN3019A_J05Z Hakkında
TN3019A_J05Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92-3) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V koletör-emitör kırılma voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 100 (minimum) DC akım kazancı ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur. Maksimum 1W güç tüketimi ile enerji tasarrufu sağlayan tasarımlarda tercih edilebilir. Kullanım alanları: genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama, voltaj amplifikasyonu ve düşük frekanslı sinyal işleme devrelerini kapsamaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V