Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
STP15810, 15810 N-Kanal 110A 100V TO-220 Mosfet Transistör
STP15810
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kılıf / Paket
- —
STP15810, 15810 N-Kanal 110A 100V TO-220 Mosfet Transistör Hakkında
STP15810, N-kanal güç MOSFET yapısına sahip, 100V drain-source gerilimi ve 110A sürekli akım kapasitesi sunan, TO-220 kılıf bir güç transistörüdür. STMicroelectronics’in STripFET™ F7 teknolojisini kullanan bu MOSFET, son derece düşük RDS(on) değeri sayesinde yüksek akımlı uygulamalarda minimum güç kaybı ve düşük ısınma performansı sağlar.
Geliştirilmiş trench gate yapısı; daha düşük gate yükü ve iç kapasitans sunarak hızlı ve verimli anahtarlama imkânı verir. %100 avalanche testinden geçmiş olması, zorlu endüstriyel koşullarda güvenilir çalışma avantajı sağlar. Yüksek akım taşıma kapasitesi ve 250W’a kadar güç dağıtımı ile güç elektroniği tasarımlarında tercih edilen bir çözümdür.
STP15810; anahtarlamalı güç kaynakları, DC motor sürücüleri, invertörler, yüksek akım anahtarlama devreleri, endüstriyel güç uygulamaları ve otomotiv elektroniği gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. TO-220 kılıf yapısı sayesinde soğutucu ile kolayca kullanılabilir ve prototipleme ile seri üretim uygulamalarına uygundur.
| Transistör | Tip | MOSFET |
|---|---|
| Vds - Drain-Source Voltajı | 100V |
| Rds On - Drain-Source Direnci | 0.0042Ohm |
| Id Drain Akımı | 110A |
| Mosfet | Kanal Tipi | N-Kanal |
| Pd | Güç Dağılımı | 250W |
| Vgs - Gate-Source Voltajı | 20V |
| Tj - Bağlantı Sıcaklığı Aralığı | 175°C |
| tr - Yükselme Süresi | 57nS |
| Etiket Kodu ( Marking ) | 15810 |
| Cd - Drain-Source Kapasitansı | 1510pF |