Görsel mevcut değil
SPZT751T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 2A SOT223
SPZT751T1G Hakkında
SPZT751T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2A kolektör akımı ve 60V gerilim dayanımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 75MHz geçiş frekansı ve 800mW maksimum güç kaybı ile düşük frekans sürücü devreleri, invertör kontrol devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı, geniş sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. DC akım kazancı (hFE) minimum 75 olup 1A/2V koşullarında ölçülmüştür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
75MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V