Görsel mevcut değil
SMSD602-RT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 500MA SC59-3
SMSD602-RT1G Hakkında
SMSD602-RT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 200mW güç sınırlaması ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile mantık devre kontrolü, LED sürücüleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygun bir seçimdir. Surface mount teknolojisi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında verimli kullanım sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V