Görsel mevcut değil
SMMBT5551LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
SMMBT5551LT1G Hakkında
SMMBT5551LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 160V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. 80 minimum DC akım kazancına (hFE) sahip transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük sinyal seviyesi kontrolü, ses amplifikasyonu, lojik seviyelendirme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, kompakt tasarımı sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V