Görsel mevcut değil
SMBT35200MT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
SMBT35200MT1G Hakkında
SMBT35200MT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistörüdür. 35V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-23-6 Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, darbe şekillendirme, amplifikasyon, RF uygulamaları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 625mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sağladığından, geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
6-TSOP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
35 V